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ESD放電測試是什么？如何進行ESD放電測試？重要性和流程解析

ESD測試在芯片和系統(tǒng)設計中是一項很重要的指標，通常暴露在外面的接口更要注意靜電防護。靜電放電以及緊跟其后的電磁場變化，可能危害電子設備的正常工作。為了保證集成電路產(chǎn)品的良率，提高可靠性，需要對集成電路ESD防護能力進行測試。

ESD測試的方法

1.人體模擬靜電放電（HBM）測試 。測試人員模擬人體放電過程，將電荷通過人體以特定的方式傳遞給要測試的設備。

2.機器模擬靜電放電（MM）測試 。使用特定的電流脈沖模擬機器放電，以評估電子設備的ESD耐受性。

3.元件充電模式（CDM，Charge Device Model）是指因摩擦或者其它因素在IC器件內(nèi)部積累了靜電電荷，由于不存在電荷泄放通路，因此在積累的過程中沒有對IC器件產(chǎn)生損傷.

人體放電模式（HBM)

在HBM測試中，測試人員使用靜電發(fā)生器或其他設備，通過模擬人體的電容和電阻等參數(shù)，將電荷傳遞到要測試的設備上。這種放電過程通常會在幾百納秒（ns）的時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培（A）的瞬間放電電流，以評估設備對靜電放電的耐受能力。

HBM ESD靜電敏感度等級

機器放電模式（MM)

在MM測試中，模擬機器本身的靜電累積，當機器接觸到待測設備時，靜電通過設備的引腳放電。由于大多數(shù)機器由金屬制成，其等效電阻為0Ω，等效電容為200pF。因此，放電過程非常短暫，通常在幾毫微秒到幾十毫微秒之間，會產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流。

MM ESD靜電敏感度等級

元件充電模式（CDM)

電子元器件在生產(chǎn)運輸過程中因為磨擦或其他原因而在元件內(nèi)部積累了靜電，但在靜電積累的過程中元件沒有快速釋放電荷的過程，所以本身并未受到損傷。這種帶有靜電的元件的管腳接近或者觸碰到導體或人體時，元件內(nèi)部的靜電便會瞬間放電，此種模式的放電時間可能只在幾ns內(nèi)。

CDM ESD靜電敏感度等級

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